MMRF5014H_射频功率GaN on SiC晶体管

MMRF5014H 125 W连续波射频功率晶体管适用于高达2700 MHz的宽带运行频率，并且包含输入匹配，可提供扩展的宽带性能。这款高增益的耐用型器件适用于连续波、脉冲和宽带射频应用。

该部件的特征参数和性能适用于运行在1–2700 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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数据手册

应用笔记

产品详情

特征

十年带宽使用寿命
低热阻
先进的GaN on SiC工艺，提供极高的功率密度
输入匹配，可延长宽带使用时间
高耐用性，VSWR > 20:1
符合RoHS规范

适用于军事终端应用，包括：
- 窄带和多倍频程宽带放大器
- 雷达
- 干扰信号
- EMC测试

同样也适用于商业应用，包括：
- 公共移动无线通信，包括紧急服务对讲机
- 工业、科技和医疗
- 实验室宽带放大器
- 无线基础架构

重要参数

Frequency (Min) (MHz)

1
Frequency (Max) (MHz)

2700
Supply Voltage (Typ) (V)

50
P1dB (Typ) (dBm)

51
P1dB (Typ) (W)

125
Die Technology

GaN

射频性能表

Typical Narrowband Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ = 350 mA, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
2500⁽¹⁾	CW	125 CW	16.0	64.2
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	125 Peak	18.0	66.8

Typical Wideband Performance

V_DD = 50 Vdc, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps⁽²⁾ (dB)	η_D⁽²⁾ (%)
200-2500⁽³⁾	CW	100 CW	12.0	40.0
1300-1900⁽⁴⁾	CW	125 CW	14.5	45.0

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 20:1 at All Phase Angles	5.0 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 2500 MHz narrowband test circuit.
2. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 200-2500 MHz broadband reference circuit.
4. Measured in 1300-1900 MHz broadband reference circuit.

文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

^数据手册
MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet

PDF版本 3May 25, 2018788.8 KBMMRF5014HEnglish
^应用笔记
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF版本 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955English
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB

PDF版本 ONov 5, 201449.4 KBSOT1791-1English
^支持信息
MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor

PDF版本 0Nov 23, 2014450.0 KBMMRF5014H_50V_GAN_TRN_SIEnglish

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MMRF5014H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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MMRF5014H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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MMRF5014H 200-2500 MHz Reference Circuit Design Files

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MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit Design Files

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1-2700 MHz, 125 W连续波，50 V宽带射频功率GaN on SiC晶体管

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特征

重要参数

射频性能表

Typical Narrowband Performance

Typical Wideband Performance

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MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor

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