A3G26H502W17S_2496-2690 MHz，80 W平均值，48 V | NXP 半导体

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2496-2690 MHz，80 W 平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

A3G26H502W17S 使用寿命终止

A3G26H502W17S 80 W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为2496到2690 MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2496–2690 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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产品详情

特征

  • 高终端阻抗，支持最佳宽带性能
  • 先进的高性能内部封装Doherty
  • 利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
  • 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
  • 符合RoHS规范

射频性能表

2600 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA特征性能：VDD = 48 Vdc，IDQA = 370 mA，VGSB = -4.6 Vdc，输出功率 = 80 W平均值，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。 (1)
频率 Gps
(dB)		 ηD
(%)		 输出PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2496 MHz14.448.47.8-32.6
2590 MHz15.049.38.2-35.2
2690 MHz14.851.27.8-34.0
1. 所有数据均在一个装置中测量，器件焊接到散热器上。

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

部件

展开描述

计算机辅助设计模型

状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

模具技术

A3G26H502W17S
数据手册

使用寿命终止

2496

2690

48

57

500

GaN

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

筛选条件

2 文件

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设计文件

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筛选条件

4 设计文件

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