A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W平均值, 48 V

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W平均值, 48 V | NXP 半导体

A3G23H500W17S 80 W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为2300到2400 MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2300–2400 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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特征

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
符合RoHS规范

射频性能表

2300 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQA = 300 mA，V_GSB = -5.0 Vdc，平均输出功率 = 80 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	14.5	53.7	8.4	-30.5
2350 MHz	14.6	52.8	8.3	-30.6
2400 MHz	14.2	53.2	8.1	-31.9

购买/参数

部件展开描述	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	模具技术
A3G23H500W17S 数据手册		使用寿命终止	2300	2400	48	57.8	603	GaN

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3 文件

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Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

PDFMay 3, 2021版本更新 1

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模型
A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Apr 23, 202126.1 KBA3G23H500W17S-Carrier-Class-AB

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A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

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A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

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印刷电路板与电路图
A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Apr 23, 202126.4 KBA3G23H500W17S-2300-PCB

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设计文件-其他
A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

ZIP版本 0Nov 18, 2021668.7 KBA3G23H500W17S-2300-2400-MHZ

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2300-2400 MHz，80 W 平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

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