MMRF5014H_射频功率GaN on SiC晶体管

产品详情

特征

十年带宽使用寿命
低热阻
先进的GaN on SiC工艺，提供极高的功率密度
输入匹配，可延长宽带使用时间
高耐用性，VSWR > 20:1
符合RoHS规范

适用于军事终端应用，包括：
- 窄带和多倍频程宽带放大器
- 雷达
- 干扰信号
- EMC测试

同样也适用于商业应用，包括：
- 公共移动无线通信，包括紧急服务对讲机
- 工业、科技和医疗
- 实验室宽带放大器
- 无线基础架构

射频性能表

Typical Narrowband Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ = 350 mA, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
2500⁽¹⁾	CW	125 CW	16.0	64.2
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	125 Peak	18.0	66.8

Typical Wideband Performance

V_DD = 50 Vdc, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps⁽²⁾ (dB)	η_D⁽²⁾ (%)
200-2500⁽³⁾	CW	100 CW	12.0	40.0
1300-1900⁽⁴⁾	CW	125 CW	14.5	45.0

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 20:1 at All Phase Angles	5.0 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 2500 MHz narrowband test circuit.
2. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 200-2500 MHz broadband reference circuit.
4. Measured in 1300-1900 MHz broadband reference circuit.

文档

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5 文件

紧凑列表

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

PDFNov 5, 2014版本更新 O

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

PDFNov 23, 2014版本更新 0

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

PDFMay 25, 2018版本更新 3

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1-2700 MHz, 125 W连续波，50 V宽带射频功率GaN on SiC晶体管

产品详情

特征

射频性能表

Typical Narrowband Performance

Typical Wideband Performance

Load Mismatch/Ruggedness

文档

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

支持信息 (1)

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

数据手册 (1)

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

支持信息 (1)

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

数据手册 (1)

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

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