A5G26H605W19N_2496–2690MHz，85W平均值，48 V

A5G26H605W19N_2496–2690MHz，85W平均值，48 V | NXP 半导体

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A5G26H605W19N 85W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为2496到2690MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2496–2690MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

数据手册

应用笔记

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
塑料封装
符合RoHS规范

射频性能表

2600MHz

典型Doherty单载波W-CDMA参考电路性能：V_DD=48Vdc，I_DQA=300mA，V_GSB=–5.4Vdc，平均输出功率=85W，输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps(dB)	η_D(%)	输出PAR(dB)	ACPR(dBc)
2620MHz	15.1	52.5	8.4	–30.0
2655MHz	15.3	52.3	8.2	–31.0
2690MHz	15.0	52.1	8.1	–32.0

1. 所有数据均使用焊接在恩智浦参考电路中的设备测量得出。

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	模具技术
A5G26H605W19N 数据手册			正常供应	2496	2690	48	57.95	624	GaN

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A5G26H605W19N Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Oct 25, 2023155.0 KBA5G26H605W19N-Peaking-Class-AB

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A5G26H605W19N Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Oct 25, 2023155.0 KBA5G26H605W19N-Peaking-Class-C

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A5G26H605W19N Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Oct 25, 2023155.4 KBA5G26H605W19N-Carrier-Class-AB

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A5G26H605W19N 2600 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Oct 25, 202358.6 KBA5G26H605W19N-2600-PCB

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