A5G37H110N_3600–3800MHz，13.5W平均值，48V

A5G37H110N_3600–3800MHz，13.5W平均值，48V | NXP 半导体

产品
射频
有源天线系统
3200 - 6000 MHz
- A3M34SL039
- A3M34TL139
- A3M35TL039
- A3M36SL037
- A3M36SL039
- A3M37TL039
- A3M38SL039
- A3M39SL039
- A3M39TL039
- A3M40PD012
- A5G35H055N
- A5G35H110N
- A5G35H120N
- A5G35S004N
- A5G35S008N
- A5G37H110N
- A5G38H045N
- A5G38H055N
- A5M34TG040-TC
- A5M35TG040-TC
- A5M36SG239
- A5M36TG040-TC
- A5M36TG140
- A5M36TG240
- A5M37SG239
- A5M37TG240
- A5M39TG140
- A6G35S006N
- AFLP5G35645
- AFRX5G372
- AFSC5G35D35
- AFSC5G35D37
- AFSC5G35E38
- AFSC5G37D37
- AFSC5G37E38
- AFSC5G40E38
- BTS6201U
- BTS6302U
- BTS6303U
- BTS6305C
- BTS6305U
- BTS6306U
- BTS6403C
- BTS6403U
- BTS7202U
- BTS7203U
- BTS7205U
A5G37H110N

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这款13.5W非对称Doherty GaN射频功率放大器专为3600到3800MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在3600–3800MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

数据手册

应用笔记

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
适用于复杂度较低的数字线性化系统
优化用于5G基站mMIMO有源天线系统
符合RoHS规范

射频性能表

3700MHz

典型Doherty单载波W-CDMA参考电路性能：V_DD=48Vdc，I_DQA=70mA，V_GSB=–4.0Vdc，P_out=13.5W平均值，输入信号PAR=9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
3600MHz	15.1	54.1	8.1	-29.5
3700MHz	15.4	53.5	8.4	-31.8
3800MHz	15.3	54.3	8.3	-32.0

1. 所有数据均测自参考电路，器件焊接到散热器上。

购买/参数

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设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

4 设计文件

模型
A5G37H110N Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Jan 6, 202263.0 KBA5G37H110N-Peaking-Class-AB

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模型
A5G37H110N Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Jan 6, 202263.9 KBA5G37H110N-Peaking-Class-C

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A5G37H110N Carrier S-Parameters

S2P版本 0Jan 6, 202237.8 KBA5G37H110N-Carrier-Class-AB

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设计文件-其他
A5G37H110N 3600-3800 MHz Design Files

ZIP版本 0Jan 31, 2022391.0 KBA5G37H110N-3600-3800-DESIGN-FILES

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3300-3800MHz, 13.5W平均值, 48V Airfast®射频功率GaN放大器

产品详情

特性

射频性能表

3700MHz

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文档

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

数据手册 (1)

A5G37H110N 3600–3800 MHz, 13.5 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G37H110N]

简介 (1)

GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet[DMS5G3264FS]

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

数据手册 (1)

A5G37H110N 3600–3800 MHz, 13.5 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G37H110N]

简介 (1)

GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet[DMS5G3264FS]

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A5G37H110N Peaking Class AB S-Parameters

A5G37H110N Peaking Class C S-Parameters

A5G37H110N Carrier S-Parameters

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筛选条件

A5G37H110N Peaking Class AB S-Parameters

A5G37H110N Peaking Class C S-Parameters

A5G37H110N Carrier S-Parameters

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