紧凑模型 | NXP 半导体

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紧凑模型

紧凑模型是模拟电路仿真器中所用的半导体器件的数学描述(公式)。恩智浦有仿真器独立的紧凑型晶体管模型库，称为SiMKit。您可以在此找到最新的模型信息，并下载全部文档以及完整的SiMKit源代码。

6.1的新功能

现在可提供6.1版的SiMKit库。在这个网站上，也可找到以前的版本。这个版本的主要改进为：

纠正了juncap200的溢出保护错误
PSP104中修复了通过ddx定义的所有输出参数中的错误
设备名称作为实例参数添加到所有实现SOA的设备中，并在所有SOACHECK_INFO消息中使用
更好地描述了SOA中VBALLMSG参数的功能
从SiMKit中删除了spice3_models源代码，该源代码仅用于创建ProMOST和Pstar使用的库

了解关于SiMKit 6.1的更多信息

产品	描述
高级二极管模型	我们的高级二极管模型是普通二极管模型的扩展，对反向操作有更好的描述。
JFETIDG	独立的双栅极JFET。更多信息，请参阅https://nanohub.org/publications/173/2。
Juncap	JUNCAP模型描述了二极管的反应，这些二极管由MOST器件中的源极、漏极或阱至体结型组成。为了包含侧壁、底部及栅极边缘结型的差异效应，JUNCAP模型中分别计算了这三个效应。
Mextram	Mextram模型描述了各种工艺的垂直双极晶体管，其中包括现代SiGe工艺和强大的高压工艺晶体管。它对双极晶体管的低掺杂集电极外延层的建模非常有效，其中速度饱和、基底加宽、柯克效应和碰撞电离等效应发挥着作用。
模型11	MOS模型11(MM11)是对称的、基于表面电势的模型，可以准确地通过物理方式描述由弱转强的变化。
模型20	MOS模型20是一个老式的紧凑型LDMOS模型，它结合了薄栅氧化层下沟道区和漂移区的MOSFET操作。因此，它是与MOS模型31串联的MOS模型9的升级产品或与MOS模型31串联的MOS模型11的升级产品。
模型31	MOS模型31是基于物理学的晶体管模型，可用于电路仿真和模拟高压应用的IC设计中。该模型描述了一种结型隔离累积/耗尽型MOSFET的电子特性。
模型40	MOS模型40是基于物理学的晶体管模型，可用于电路仿真和采用绝缘硅(SOI)工艺的模拟高压应用的IC设计中。
模型9	MOS模型9是基于物理学的分析模型，适用于模拟应用的电路仿真和设计。它描述了所有相关区域的晶体管操作的电气特性，如低于阈值的电流、基板电流和输出电导等。
PSP模型	2011年之前，PSP模型由恩智浦(原飞利浦半导体部)和亚利桑那州立大学Gildenblat教授(曾就职于宾夕法尼亚州立大学)的团队联合开发。2011至2014年，该模型由恩智浦和代尔夫特理工大学(Delft University of Technology)进一步开发。
Modella	在双极模拟集成电路的设计中，当电路设计中包含NPN和PNP晶体管时，通常会实现更大的灵活性。许多现今的双极生产工艺采用传统横向PNP作为标准PNP晶体管结构。