模型20 | NXP 半导体

MOS模型20是一个老式的紧凑型LDMOS模型，它结合了薄栅氧化层下沟道区和漂移区的MOSFET操作。因此，它是与MOS模型31串联的MOS模型9的升级产品或与MOS模型31串联的MOS模型11的升级产品。MOS模型20具有从沟道区到漂移区转换的电压(该模型本身可计算此电压)，在仿真期间改进了融合反应。该模型在SiMKit3.8之后已停产，因为恩智浦已经生产了更新的模型。

这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中(直到SiMKit 3.8都可提供)。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：

恩智浦的电路仿真器Pstar
Cadence的电路仿真器Spectre
Agilent的电路仿真器ADS

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8 文件

^支持信息
Compact Modeling of High-Voltage LDMOS Devices Including Quasi-Saturation

PDF版本 1Oct 30, 201501610925English
^支持信息
Capacitance modeling of laterally non-uniform MOS devices - Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International

PDF版本 1Oct 30, 201501419281English
^支持信息
MOS model 20, level 2001

PDF版本 1Oct 30, 2015M2001English
^支持信息
MOS Model 20 Level 2001

PDF版本 1Oct 30, 2015PRTN2003_00301English
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MOS model 20, level 2002

PDF版本 1Oct 30, 2015M2002English
^支持信息
New Fundamental Insights Into Capacitance Modeling of Laterally Nonuniform MOS Devices

PDF版本 1Oct 30, 201501580864English
^支持信息
A Surface-Potential-Based High-Voltage Compact LDMOS Transistor Model

PDF版本 1Oct 30, 201501424392English
^支持信息
MOS Model 20 Level 2002.2

PDF版本 1Oct 30, 2015PRTN2005_00406English

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