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Model 11

MODEL11

MOS模型11是MOS模型9的升级产品。MOS模型11的研发旨在：

  • 适用于数字、模拟和射频；
  • 适用于现代和未来CMOS技术；
  • 是基于物理的；
  • 具有与MOS模型9媲美的参数量；
  • 具有与MOS模型9媲美的仿真时间；以及
  • 简单参数提取。

这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：

  • 恩智浦的电路仿真器Pstar
  • Cadence的电路仿真器Spectre
  • Agilent的电路仿真器ADS
更多

软件详情

特征

  • 流动性降低
  • 受偏压影响的串联电阻
  • 速度饱和
  • 电导效应(CLM、DIBL等)
  • 栅极漏电流
  • 栅极感应漏极泄漏
  • 耗尽型绝缘栅
  • 量子力学效应
  • 受偏压影响的重叠电容

文档

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