MOS模型9是基于物理学的分析模型，适用于模拟应用的电路仿真和设计。它精彩地描述了所有相关区域的晶体管操作的电气特性，如低于阈值的电流、基板电流和输出电导等。
MOS模型9仅采用一个参数集，通过广泛的沟道长度和宽度描述晶体管反应。因而它轻松、灵活的用于广泛的应用，同时保持一致的高精度。本网站可免费提供MOS模型9的完整文档和源代码。
恩智浦模拟电路仿真器MOS模型9最初采用Pstar来开发，适合于电路设计和工艺技术，以及CAD工具开发。
这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：
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