A3T21H456W23S_2110-2200 MHz, 87 W Avg, 30 V | NXP 半导体

安全互联汽车

工业

消费电子

技术

2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

A3T21H456W23S 建议不要在新设计中使用该软件
The A3T21H456W23S 87 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2110 to 2200 MHz.

查看产品图片

Features

  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Designed for wide instantaneous bandwidth applications
  • Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • RoHS compliant

RF Performance Table

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 30 Vdc, IDQA = 800 mA, VGSB = 0.35 Vdc, Pout = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2110 MHz14.849.58.0–30.3
2140 MHz15.348.98.0–31.1
2170 MHz15.548.67.8–31.3
2200 MHz15.547.97.7–32.0

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

部件

展开描述

订购

计算机辅助设计模型

状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

模具技术

A3T21H456W23S
数据手册

建议不要在新设计中使用该软件

2110

2200

30

57.5

562

LDMOS

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

筛选条件

4 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.
筛选条件

4 设计文件

支持

您需要什么帮助?

  • Narrow your search
搜索

近期查看的产品

查看或编辑浏览历史