2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | NXP 半导体

The MRF6S21050LR3 and MRF6S21050LSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

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98ARH98301A, NI-C, 20.0x9.0x3.66, Pitch 0.6, 3 Pins[SOT1812-1]

PDFFeb 29, 2016版本更新 G
98ARH98300A, 465F-01, NI-400S[98ARH98300A]

PDFJan 4, 2003版本更新 E

Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note[AN1923]

PDFApr 10, 2001版本更新 0

MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S21050L]

PDFDec 29, 2008版本更新 2

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MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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98ARH98301A, NI-C, 20.0x9.0x3.66, Pitch 0.6, 3 Pins[SOT1812-1]

98ARH98300A, 465F-01, NI-400S[98ARH98300A]

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Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note[AN1923]

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