2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | NXP 半导体

The MRF6S21100HR3 and MRF6S21100HSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio, WLL and TD–SCDMA applications.

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98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins[SOT1793-1]

PDFMar 22, 2016版本更新 J
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins[SOT1792-1]

PDFMar 22, 2016版本更新 H

MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S21100H]

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98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins[SOT1793-1]

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins[SOT1792-1]

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MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S21100H]

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