2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

The MRF6S21050LR3 and MRF6S21050LSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

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4 文件

^数据手册
MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

PDF版本 2Dec 29, 2008402.3 KBMRF6S21050LEnglish
^应用笔记
Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note

PDF版本 0Apr 10, 2001477.9 KBAN1923English
^封装信息
98ARH98301A, NI-C, 20.0x9.0x3.66, Pitch 0.6, 3 Pins

PDF版本 GFeb 29, 201649.3 KBSOT1812-1English
^封装信息
98ARH98300A, 465F-01, NI-400S

PDF版本 EJan 4, 200329.1 KB98ARH98300AEnglish

设计资源

设计文件

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5 设计文件

^模型
MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jul 22, 2011 00:00:001.5 MBMRF6S21050L_MDL_AWR
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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

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^模型
MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00667.7 KBMRF6S21050L_MDL_ADS
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^计算器
MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 2Aug 1, 2007 00:00:0044.0 KBMRF6S21050L_MTTF_CALC
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2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note

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98ARH98300A, 465F-01, NI-400S

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