A5G19H605W19N_1930–1995MHz,85W平均值,48V | NXP 半导体

1930–1995MHz,85W平均值,48V Airfast® GaN射频功率晶体管

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产品详情

特性

  • 高终端阻抗,支持出色的宽带性能
  • 先进的高性能内部封装Doherty
  • 利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
  • 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
  • 塑料封装
  • 符合RoHS规范

射频性能表

1900MHz

典型Doherty单载波W-CDMA生产测试电路性能:VDD=48Vdc,IDQA=300mA,VGSB=–5.0Vdc,Pout=85W平均值,输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。(1)

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状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

模具技术

正常供应

1930

1995

48

57.95

624

GaN

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

4 文件

紧凑列表

应用笔记 (2)
数据手册 (1)
简介 (1)

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

4 设计文件

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