A3T19H455W23S_1930-1990 MHz, 81 W平均值, 30 V

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特征

先进的高性能内部封装Doherty
专为宽瞬时带宽应用而设计
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

射频性能表

1990 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA特征性能：V_DD = 30 Vdc，I_DQA = 540 mA，V_GSB = 0.6 Vdc，_输出功率 = 81 W平均值，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
1930 MHz	16.2	49.6	8.1	–31.0
1960 MHz	16.5	49.4	8.0	–32.1
1990 MHz	16.4	49.1	7.8	–32.6

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	模具技术
A3T19H455W23S 数据手册			建议不要在新设计中使用该软件	1930	1990	30	57.3	541	LDMOS

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3T19H455W23S 1930-1990 MHz, 81 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T19H455W23S]

PDFDec 22, 2017版本更新 0

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4 设计文件

模型
A3T19H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Dec 22, 2017136.4 KBA3T19H455W23S-Peaking-Class-AB

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A3T19H455W23S Carrier S-Parameters

S2P版本 0Dec 22, 2017136.4 KBA3T19H455W23S-Carrier

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A3T19H455W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Dec 22, 2017136.5 KBA3T19H455W23S-Peaking-Class-C

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印刷电路板与电路图
A3T19H455W23S 1900 MHz PCB DXF file

ZIP版本 0Dec 22, 201753.3 KBA3T19H455W23S-1900-PCB

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

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数据手册 (1)

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A3T19H455W23S Peaking Class C S-Parameters

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