A2G22S251-01S_Airfast射频功率GaN晶体管

A2G22S251-01S_Airfast射频功率GaN晶体管 | NXP 半导体

A2G22S251-01SR3 48 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为1805至2200 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

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特征

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范

射频性能表

2000 MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQ = 200 mA，平均输出功率 = 48 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	17.4	33.5	7.0	–34.7	–14
1990 MHz	17.3	34.3	7.1	–35.1	–11
2170 MHz	17.7	37.5	6.8	–33.2	–12

文档

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2 文件

紧凑列表

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

PDFJan 19, 2016版本更新 C

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

PDFMay 16, 2016版本更新 0

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模型
A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019291.5 KBA2G22S251_01S_MDL_ADS

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A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016739.5 KBA2G22S251_01S_MDL_AWR

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模型
A2G22S251-01S S-Parameters

S2P版本 0May 16, 2016238.4 KBA2G22S251-01S_SP

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印刷电路板与电路图
A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2May 16, 2016100.4 KBA2G22S251-01S_2000_PCB

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1805-2200 MHz，48W平均值，48 V Airfast®射频功率晶体管

产品详情

特征

射频性能表

2000 MHz

文档

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封装信息 (1)

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

数据手册 (1)

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

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A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

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A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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A2G22S251-01S S-Parameters

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A2G22S251-01S S-Parameters

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