A2G22S251-01S_Airfast射频功率GaN晶体管

A2G22S251-01SR3 48 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为1805至2200 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

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数据手册

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特征

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范

射频性能表

2000 MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQ = 200 mA，平均输出功率 = 48 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	17.4	33.5	7.0	–34.7	–14
1990 MHz	17.3	34.3	7.1	–35.1	–11
2170 MHz	17.7	37.5	6.8	–33.2	–12

文档

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2 文件

^数据手册
A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

PDF版本 0May 16, 2016298.4 KBA2G22S251-01SEnglish
^封装信息
98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins

PDF版本 CJan 19, 201645.6 KBSOT1828-1English

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^模型
A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00291.5 KBA2G22S251_01S_MDL_ADS
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A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016 00:00:00739.5 KBA2G22S251_01S_MDL_AWR
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A2G22S251-01S S-Parameters

S2P版本 0May 16, 2016 00:00:00238.4 KBA2G22S251-01S_SP
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^{印刷电路板与电路图}
A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2May 16, 2016 00:00:00100.4 KBA2G22S251-01S_2000_PCB
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1805-2200 MHz，48W平均值，48 V Airfast^®射频功率晶体管

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A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins

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