A3G18H500-04S_Airfast射频功率GaN晶体管 | NXP 半导体

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1805-1880 MHz，107 W 平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

A3G18H500-04S 使用寿命终止

A3G18H500-04S 107 W非对称Doherty GaN射频功率晶体管面向需要极高瞬时带宽的1805到1880 MHz移动通信基站应用。

该部件的特征参数和性能适用于运行在1805–1880 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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产品详情

特征

  • 高终端阻抗，支持最佳宽带性能
  • 先进的高性能内部封装Doherty
  • 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
  • 符合RoHS规范

射频性能表

1800 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：VDD = 48 Vdc，IDQA = 200 mA，VGSB = -5 Vdc，平均输出功率 = 107 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。
频率 Gps
(dB)		 ηD
(%)		 输出PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
1805 MHz15.358.47.1–31.9
1840 MHz15.457.77.0–33.2
1880 MHz15.457.76.7–33.8

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