A2T18S166W12S_1805-1995 MHz, 38 W Avg, 28 V

产品详情

Features

Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Optimized for Doherty applications
RoHS compliant

RF Performance Tables

1800 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ = 800 mA, P_out = 38 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	18.0	35.3	6.9	–34.5	–18
1840 MHz	18.1	34.4	6.8	–34.7	–19
1880 MHz	17.6	34.2	6.7	–34.3	–12

1900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ = 800 mA, P_out = 38 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1930 MHz	17.8	31.2	6.8	–34.6	–16
1960 MHz	18.3	31.7	6.8	–34.4	–22
1995 MHz	18.6	32.8	6.8	–34.0	–14

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	模具技术
A2T18S166W12S 数据手册			使用寿命终止	1805	1995	28	LDMOS

文档

快速参考恩智浦文档类别.

4 文件

紧凑列表

98ASA00517D, NI-780S-2L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 24.28, 5 Pins[SOT1785-1]

PDFFeb 24, 2016版本更新 B

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A2T18S166W12S 1805-1995 MHz, 38 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T18S166W12S]

PDFApr 30, 2018版本更新 0

设计资源

设计文件

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2 设计文件

模型
A2T18S166W12S S-Parameters

S2P版本 0Apr 30, 201868.4 KBA2T18S166W12S-SP

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印刷电路板与电路图
A2T18S166W12S 1800 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Apr 30, 201832.0 KBA2T18S166W12S-1800-PCB

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工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

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数据手册 (1)

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