A2T18H100-25S_1805-1995 MHz，18 W平均值，28 V

产品详情

特征

先进的高性能内部封装Doherty
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，44毫米卷带宽度，13英寸卷盘。

RF Performance Tables

1800 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 Vdc，I_DQA = 230 mA，V_GSB = 0.3 Vdc，平均输出功率 = 18 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	18.1	50.2	7.7	–31.0
1840 MHz	18.2	49.6	7.8	–33.0
1880 MHz	18.1	49.8	7.9	–34.4

1900 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 Vdc，I_DQA = 210 mA，V_GSB = 0.3 Vdc，平均输出功率 = 18 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
1930 MHz	18.8	51.0	8.1	–31.3
1960 MHz	18.7	50.2	7.9	–32.7
1990 MHz	18.6	50.1	7.8	–33.3

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

数据手册
A2T18H100-25SR3 1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

PDF版本 0Oct 31, 2014755.3 KBA2T18H100-25SEnglish
工程设计要点
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
封装信息
98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201656.1 KBSOT1797-1English

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模型
A2T18H100-25S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015 00:00:001.6 MBA2T18H100_25S_MDL_AWR

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A2T18H100-25SR3 S-Parameters

S2P版本 0Oct 31, 2014 00:00:0054.9 KBA2T18H100_PEAKING_0P3VDC_SP

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A2T18H100-25SR3 S-Parameters

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A2T18H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 3Jun 17, 2019 00:00:00693.4 KBA2T18H100_25S_MDL_ADS

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ZIP版本 1Nov 4, 2014 00:00:00245.8 KBA2T18H100_25S_1800_PCB

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计算器
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XLSX版本 0Nov 16, 2015 00:00:0032.5 KBA2T18H100_25S_MTTF_CALC

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1805-1995 MHz，18 W平均值，28 V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

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