A3T18H455W23S_1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V

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特征

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 30 Vdc, I_DQA = 600 mA, V_GSB = 0.6 Vdc, P_out = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	16.7	50.4	7.7	–29.0
1840 MHz	16.9	50.1	7.6	–30.5
1880 MHz	16.6	49.9	7.6	–31.5

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4 文件

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3T18H455W23S 1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T18H455W23S]

PDFSep 1, 2017版本更新 0

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设计文件

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5 设计文件

模型
A3T18H455W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Sep 1, 2017136.5 KBA3T18H455W23S-Peaking-Class-C

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A3T18H455W23S Carrier S-Parameters

S2P版本 0Sep 1, 2017136.4 KBA3T18H455W23S-Carrier

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A3T18H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Sep 1, 2017136.4 KBA3T18H455W23S-Peaking-Class-AB

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印刷电路板与电路图
A3T18H455W23S 1800 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Sep 1, 201758.1 KBA3T18H455W23S-1800-PCB

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计算器
A3T18H455W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Sep 5, 201781.3 KBA3T18H455W23S_MTTF_CALC

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应用笔记 (1)

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