A5G18H610W19N_1805–1880MHz，85W平均值，48V

A5G18H610W19N_1805–1880MHz，85W平均值，48V | NXP 半导体

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A5G18H610W19N 85W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为1805到1880MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在1805–1880MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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应用笔记

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特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
塑料封装
符合RoHS规范

射频性能表

1800MHz

典型Doherty单载波W-CDMA参考电路性能：V_DD=48Vdc，I_DQA=300mA，V_GSB=–5.4Vdc，平均输出功率=85W，输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805MHz	17.3	55.8	8.4	–32.3
1840MHz	17.5	55.6	8.6	–34.7
1880MHz	17.4	54.1	8.5	–33.7

1. 所有数据均使用焊接在恩智浦参考电路中的设备测量得出。

购买/参数

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Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3

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PDFJan 31, 2025版本更新 2.0

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PDFMay 16, 2024版本更新 0

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A5G18H610W19N Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Oct 9, 2023127.9 KBA5G18H610W19N-Peaking-Class-C

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A5G18H610W19N Peaking Class AB S-Parameters

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印刷电路板与电路图
A5G18H610W19N 1800 MHz PCB DXF file

ZIP版本 0Oct 9, 2023907.7 KBA5G18H610W19N-1800-PCB

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A5G18H610W19N 1805-1880 MHz Design Files

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A5G18H610W19N 1805–1880MHz，85W平均值，48V Airfast®射频功率GaN晶体管

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射频性能表

1800MHz

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