AFT20S015N_100-3600 MHz，1.5 W平均值，28 V

产品详情

特征

增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，24 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

部件编号包含： AFT20S015GN, AFT20S015N.

射频性能表

2100 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ = 132 mA, Pout = 1.5 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2110 MHz	17.5	22.0	8.9	–43.0	–11
2140 MHz	17.6	22.0	9.0	–44.0	–12
2170 MHz	17.6	22.0	9.1	–44.0	–14

1800 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ = 132 mA, Pout = 1.5 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	18.0	21.0	9.2	–42.0	–11
1840 MHz	18.1	22.0	9.2	–44.0	–10
1880 MHz	18.0	22.0	9.1	–45.0	–10

2600 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ = 132 mA, Pout = 2.1 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2300 MHz	15.7	23.0	9.0	–45.0	–6
2400 MHz	16.0	23.0	8.8	–44.0	–7
2500 MHz	15.8	23.0	8.6	–43.0	–6
2600 MHz	15.8	21.0	8.5	–43.0	–7
2700 MHz	15.5	20.0	8.4	–42.0	–8

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

^数据手册
AFT20S015N 1805-2700 MHz, 1.5 W Avg., 28 V Data Sheet

PDF版本 2Apr 17, 2020754.7 KBAFT20S015NEnglish
^应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789English
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

PDF版本 DMar 30, 201686.0 KBSOT1731-1English
^封装信息
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

PDF版本 RFeb 26, 201691.2 KBSOT1732-1English

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5 / 9 设计文件

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^模型
AFT20S015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00305.4 KBAFT20S015N_MDL_ADS
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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
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^模型
AFT20S015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Apr 2, 2015 00:00:00826.6 KBAFT20S015N_MDL_AWR
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AFT20S015NR1, AFT20S015GNR1 S-Parameters

S2P版本 0Apr 16, 2013 00:00:0048.0 KBAFT20S015N_SP
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AFT20S015N 2600 MHz PCB DXF file

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AFT20S015N 2100 MHz Standard Frequency PCB DXF file

ZIP版本 2Apr 19, 2013 00:00:00471.7 KBAFT20S015N_2100_STD_PCB
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^计算器
AFT20S015N, AFT20S015GN RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Apr 29, 2013 00:00:0032.3 KBAFT20S015N_MTTF_CALC
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100-3600 MHz 1.5 W平均值, 28 V Airfast^®LDMOS射频功率晶体管

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特征

射频性能表

2100 MHz

1800 MHz

2600 MHz

购买/参数

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AFT20S015N 1805-2700 MHz, 1.5 W Avg., 28 V Data Sheet

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

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AFT20S015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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AFT20S015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT20S015NR1, AFT20S015GNR1 S-Parameters

AFT20S015N 2600 MHz PCB DXF file

AFT20S015N 1800 MHz PCB DXF file

AFT20S015N 2100 MHz Standard Frequency PCB DXF file

AFT20S015N, AFT20S015GN RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

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AFT20S015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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AFT20S015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT20S015NR1, AFT20S015GNR1 S-Parameters

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