NPN宽带硅RF晶体管 | NXP 半导体

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适合高速低噪声应用的NPN硅微波晶体管，采用塑料4引脚双射极SOT343F封装。

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特征

40 GHz f_T硅技术
高输出三阶交调截取点27 dBm，1.8 GHz时
低噪声高线性RF晶体管

Target Applications

模拟/数字无绳应用
LTE、蜂窝、UMTS
SDARS第二级LNA
X频段高输出缓冲放大器
ZigBee

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	Generation	f_T [typ] (MHz)	V_CEO [max] (V)	P_tot [max] (mW)	Polarity	@f (MHz)	@V_CE (V)	@I_C (mA)	NF (dB)	状态
BFU660F 数据手册			6th	21000	5.5	225	NPN	5800	2	6	1.2	使用寿命终止

设计资源

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快速参考恩智浦设计文件类型.

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模型
S-parameters BFU660F

ZIP版本 1.1Apr 23, 2019392.2 KBSPAR_BFU660F
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