NPN宽带硅RF晶体管 | NXP 半导体

NPN宽带硅RF晶体管

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产品详情

特征

  • 中等功率、高线性度、高击穿电压RF晶体管
  • 符合AEC-Q101标准
  • 900 MHz时最大稳定增益11 dB
  • 900 MHz时PL(1dB) 22 dBm
  • 8 GHz fT硅技术

Target Applications

  • 汽车应用
  • 宽带放大器
  • 中等功率放大器(433 MHz或866 MHz频率时500 mW)
  • 针对ISM应用的大信号放大器

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

状态

5th

8000

12

2000

NPN

使用寿命终止

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

6 文件

紧凑列表

包装信息 (1)
应用笔记 (2)
手册 (1)
数据手册 (1)
用户指南 (1)

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

4 设计文件

支持

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