双NPN宽带硅RF晶体管 | NXP 半导体

双NPN宽带硅RF晶体管

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产品详情

特征

  • 低噪音、高击穿RF晶体管
  • 符合AEC-Q101标准
  • 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.65 dB
  • 900 MHz时最大稳定增益19 dB
  • 11 GHz fT硅技术

Target Applications

  • 要求高电源电压和高击穿电压的应用
  • 高达2 GHz的宽带差分放大器
  • 针对ISM应用的低噪声放大器
  • ISM频段振荡器

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

@f (MHz)

@VCE (V)

@IC (mA)

NF (dB)

状态

5th

10000

12

450

NPN

900

8

1

0.65

使用寿命终止

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

7 文件

紧凑列表

包装信息 (1)
封装信息 (1)
手册 (1)
支持信息 (2)
数据手册 (1)
用户指南 (1)

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

5 设计文件

支持

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