NPN宽频带硅锗RF晶体管 | NXP 半导体

NPN宽频带硅锗RF晶体管

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特征

  • 110 GHz fT硅锗技术
  • 高最大功率增益:14 dB(12 GHz时)
  • 低噪声高增益微波晶体管
  • 噪声系数(NF) = 1.45 dB(12 GHz时)

Target Applications

  • DBS LNB中的第2 LNA级以及混频器级
  • AMR
  • 蓝牙
  • FM收音机
  • GPS
  • Ka频段振荡器DRO
  • 配备低电流电池的应用
  • 用于微波通信系统的低噪声放大器
  • 微波驱动器/缓冲器应用
  • 移动电视
  • RKE
  • ZigBee

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

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计算机辅助设计模型

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

@f (MHz)

@VCE (V)

@IC (mA)

NF (dB)

状态

7th

43000

2.8

136

NPN

12000

2

2

1.45

使用寿命终止

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

4 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

2 设计文件

支持

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