A5G23H110N_2300–2400MHz，13.8W平均值，48V

A5G23H110N_2300–2400MHz，13.8W平均值，48V | NXP 半导体

滚动图片以放大

这款13.8W非对称Doherty GaN射频功率放大器专为2300到2400MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2300–2400MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

数据手册

应用笔记

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
适用于复杂度较低的线性化系统
优化用于5G基站mMIMO有源天线系统
符合RoHS规范

射频性能表

2300MHz

典型Doherty单载波W-CDMA参考电路性能：V_DD=48Vdc，I_DQA=50mA，V_GSB=–4.7Vdc，P_out=13.8W平均值，输入信号PAR=9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300MHz	16.3	56.6	8.5	-29.1
2350MHz	16.1	56.5	8.6	-30.8
2400MHz	16.2	56.3	8.8	-32.4

1. 所有数据均测自参考电路，器件焊接到印刷电路板上。

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	模具技术
A5G23H110N 数据手册			正常供应	2300	2400	48	49.6	92	GaN

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

紧凑列表

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3

A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G23H110N]

PDFOct 18, 2023版本更新 2

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

4 设计文件

模型
A5G23H110N Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Sep 13, 202217.6 KBA5G23H110N-Peaking-Class-AB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
A5G23H110N Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Sep 13, 202217.6 KBA5G23H110N-Carrier-Class-AB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
A5G23H110N Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Sep 13, 202217.6 KBA5G23H110N-Peaking-Class-C

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
设计文件-其他
A5G23H110N 2300-2400 MHz Design Files

ZIP版本 0Apr 11, 2022706.3 KBA5G23H110N-2300-2400-DESIGN-FILES

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.

购物车

2300-2400MHz，13.8W平均值，48V Airfast® GaN射频功率放大器

产品详情

特性

射频性能表

2300MHz

购买/参数

文档

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

数据手册 (1)

A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G23H110N]

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

数据手册 (1)

A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G23H110N]

设计资源

设计文件

过滤方式

A5G23H110N Peaking Class AB S-Parameters

A5G23H110N Carrier Class AB S-Parameters

A5G23H110N Peaking Class C S-Parameters

A5G23H110N 2300-2400 MHz Design Files

过滤方式

筛选条件

A5G23H110N Peaking Class AB S-Parameters

A5G23H110N Carrier Class AB S-Parameters

A5G23H110N Peaking Class C S-Parameters

A5G23H110N 2300-2400 MHz Design Files

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

近期查看的产品

2300-2400MHz，13.8W平均值，48V Airfast^® GaN射频功率放大器