A5G19H605W19N_1930–1995MHz，85W平均值，48V

A5G19H605W19N_1930–1995MHz，85W平均值，48V | NXP 半导体

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这款85W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为1930到1995MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在1930-1995MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

数据手册

应用笔记

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
塑料封装
符合RoHS规范

射频性能表

1900MHz

典型Doherty单载波W-CDMA生产测试电路性能：V_DD=48Vdc，I_DQA=300mA，V_GSB=–5.0Vdc，P_out=85W平均值，输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps(dB)	η_D	输出PAR(dB)	ACPR(dBc)
1930MHz	16.3	54.3	8.9	–29.2
1960MHz	16.7	55.1	8.6	–30.2
1995MHz	17.0	55.7	8.2	–31.2

1. 所有数据均在一个装置中测量，器件焊接到恩智浦生产测试电路上。

购买/参数

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文档

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Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
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PDFMay 13, 2009版本更新 3

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PDFMar 20, 2024版本更新 1

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PDFMay 16, 2024版本更新 0

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A5G19H605W19N Carrier Class AB S-Parameters

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A5G19H605W19N Peaking Class AB S-Parameters

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印刷电路板与电路图
A5G19H605W19N 1900 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Mar 18, 202426.6 KBA5G19H605W19N-1900-PCB

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1930–1995MHz，85W平均值，48V Airfast® GaN射频功率晶体管

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