A3T19H455W23S_1930-1990 MHz, 81 W平均值, 30 V

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特征

先进的高性能内部封装Doherty
专为宽瞬时带宽应用而设计
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

射频性能表

1990 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA特征性能：V_DD = 30 Vdc，I_DQA = 540 mA，V_GSB = 0.6 Vdc，_输出功率 = 81 W平均值，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
1930 MHz	16.2	49.6	8.1	–31.0
1960 MHz	16.5	49.4	8.0	–32.1
1990 MHz	16.4	49.1	7.8	–32.6

购买/参数

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文档

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4 文件

紧凑列表

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3T19H455W23S 1930-1990 MHz, 81 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T19H455W23S]

PDFDec 22, 2017版本更新 0

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4 设计文件

模型
A3T19H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Dec 22, 2017136.4 KBA3T19H455W23S-Peaking-Class-AB

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A3T19H455W23S Carrier S-Parameters

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A3T19H455W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Dec 22, 2017136.5 KBA3T19H455W23S-Peaking-Class-C

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印刷电路板与电路图
A3T19H455W23S 1900 MHz PCB DXF file

ZIP版本 0Dec 22, 201753.3 KBA3T19H455W23S-1900-PCB

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1930-1990 MHz, 81 W平均值, 30 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管

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1990 MHz

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封装信息 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

A3T19H455W23S 1930-1990 MHz, 81 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T19H455W23S]

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

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A3T19H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T19H455W23S Carrier S-Parameters

A3T19H455W23S Peaking Class C S-Parameters

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A3T19H455W23S Carrier S-Parameters

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