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1.0MHz双路开关DDR电源
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产品详情
特性
系统特性
- 集成式N沟道功率MOSFET
- 输入工作电压范围为3.0V到6.0V
- 第2个输出可跟踪1/2外部参考电压
- 缓冲参考输出电压精确率达1%
- 可编程开关频率范围为200kHz到1.0MHz
- 可为通道1设置软启动时间
- 两个通道上均有过流限制和短路保护
- 热关机
- 提供输出过压和欠压监测
- 有源低功率良好输出信号
- 有源低待机和关机输入
- 两个降压稳压器
- 输出电流：3A
- 输出电压：1.5V
产品长期供货计划
- 本产品包含在恩智浦®产品长期供货计划中，自推出后至少保证10年供货
购买/参数
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设计资源
硬件
快速参考恩智浦
板类型.
3 硬件
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QorIQ® Qonverge开发系统亮点
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评估套件——34716，双开关式DDR电源亮点