高性能双核处理器

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MPC8641D Block Diagram

 MPC8641D Block Diagram

对比表

处理器对比

MPC7448 MPC8641 MPC8641D
电压 1.05V 1.1V 1.1V
可靠性 10 yrs @ 105°C 10 yrs @ 105°C 10 yrs @ 105°C
技术 90nm绝缘硅(SOI) 90nm绝缘硅(SOI) 90nm绝缘硅(SOI)
Alti Vec引擎 1 1 1
缓存(每内核) L1:32kB I/D
L2:1MB,带ECC
L1:32kB I/D
L2:1MB,带ECC
L1:32kB I/D
L2:1MB,带ECC
处理器 单e600 Power Architecture内核,高达1.7GHz,2.3MIPS/MHz 单e600 Power Architecture内核,高达1.33GHz,2.3MIPS/MHz 双e600 Power Architecture内核,每内核高达1.5GHz,2.3MIPS/MHz
存储控制器 独立系统控制器,200MHz总线 双64b DDR2,高达533MHz,带ECC 双64b DDR2,高达600MHz,带ECC
封装 双64b DDR2,高达600MHz,带ECC 1023-HiCTE陶瓷33mm x 33mm 1023-HiCTE陶瓷33mm x 33mm
RapidIO®接口 串行RapidIO®,1x/4x @ 每通道高达2.5Gb/s 串行RapidIO®,1x/4x @ 每通道高达2.5Gb/s
PCI Express®接口 双PCI Express,x1/x2/x4/x8,每通道2.0Gb/s 双PCI Express,x1/x2/x4/x8,每通道2.0Gb/s

注:
1.- 包括无序指令的性能改进。

购买/参数










































































































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