A2G22S251-01S 产品信息 | NXP Semiconductors

A2G22S251-01S

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工作特点

参数
Frequency (Min) (MHz)
1805
Frequency (Max) (MHz)
2200
Supply Voltage (Typ) (V)
48
参数
Peak Power (Typ) (dBm)
52.9
Peak Power (Typ) (W)
195
Die Technology
GaN

环境

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质量

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配送

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更多信息 A2G22S251-01S

The A2G22S251-01SR3 48 W RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1805 to 2200 MHz.