NPN wideband silicon RF transistor | NXP 半导体

NPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz.

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产品详情

Features

Low noise high gain microwave transistor
Minimum noise figure (NF_min) = 0.65 dB at 12 GHz
Maximum stable gain 14.2 dB at 12 GHz
90 GHz f_T SiGe technology

Target Applications

K_u band DBS Low-Noise blocks

文档

快速参考恩智浦文档类别.

4 文件

^数据手册
NPN wideband silicon germanium RF transistor

PDF版本 2.0Jan 16, 2015143.2 KBBFU910F英语
^应用笔记
BFU910F FE for Ku band Universal Single LNB applications

PDF版本 1.0Dec 11, 20151.3 MBAN11698英语
^应用笔记
A Ku band quad LNB reference design based on TFF1044HN

PDF版本 1.0Jul 20, 20152.3 MBAN11674英语
^封装信息
Plastic surface-mounted flat pack package; 4 leads

PDF版本 1.0Feb 8, 2016192.2 KBSOT343F英语

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

4 设计文件

^模型
BFU910F S-parameters 6 mA

SF版本 1.0Apr 23, 2019 00:00:0023.9 KBBFU910_D1_2V_06MA_S_N
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^模型
BFU910F S-Parameters 2 V, 1 to 12 mA

ZIP版本 1.0Jun 6, 2018 08:24:00101.4 KBBFU910F_SPAR_NF_2V_1_TO_12MA
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^模型
BFU910F S-parameters 10 mA

SF版本 1.0Jun 6, 2012 00:00:0023.9 KBBFU910_D1_2V_10MA_S_N
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^{设计文件-其他}
BFU910F ADS design kit V1

ZIP版本 1.0Nov 27, 2015 00:00:0024.0 KBBFU910F_1
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