NPN宽带硅RF晶体管

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特征

  • 低噪声、高击穿电压的RF晶体管
  • 符合AEC-Q101标准
  • 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.7 dB
  • 最大稳定增益为22 dB(频率为900 MHz时)
  • 11 GHz fT硅技术

目标应用

  • 需要高电源电压和高击穿电压的应用
  • 最高可达2 GHz的宽带放大器
  • 面向ISM应用的低噪声放大器
  • ISM频带振荡器

部件编号包含: BFU530X.

购买/参数










































































































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