A5G08H800W19N_865–960MHz，112W平均值，50V

A5G08H800W19N_865–960MHz，112W平均值，50V | NXP 半导体

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这款112W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为865到960MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在865–960MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

数据手册

应用笔记

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
塑料封装
符合RoHS规范

射频性能表

900MHz

典型Doherty单载波W-CDMA生产测试电路性能：V_DD=50Vdc，I_DQA=350mA，V_GSB=–5.0Vdc，平均输出功率=112W，输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps(dB)	η_D(%)	输出PAR(dB)	ACPR(dBc)
865MHz	19.3	60.5	8.8	–28.0
913MHz	19.5	59.9	8.6	–28.8
960MHz	19.1	58.7	8.3	–30.5

1. 所有数据均在一个装置中测量，器件焊接到恩智浦生产测试电路上。

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	模具技术
A5G08H800W19N 数据手册			正常供应	865	960	50	59.6	912	GaN

文档

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AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3

A5G08H800W19N 865–960 MHz, 112 W Avg, 50 V Data Sheet[A5G08H800W19N]

PDFDec 21, 2023版本更新 1

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

PDFMay 16, 2024版本更新 0

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3 设计文件

模型
A5G08H800W19N Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Aug 17, 202314.5 KBA5G08H800W19N-Peaking-Class-AB

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A5G08H800W19N Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Aug 17, 202327.0 KBA5G08H800W19N-Carrier-Class-AB

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A5G08H800W19N Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Aug 17, 202327.5 KBA5G08H800W19N-Peaking-Class-C

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