A5G07H800W19N_717-850MHz，112W平均值，50V | NXP 半导体

A5G07H800W19N_717-850MHz，112W平均值，50V | NXP 半导体

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这款112W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为717到850MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在717–850MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

产品详情

特性

高终端阻抗，支持出色的宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
塑料封装
符合RoHS规范

射频性能表

800MHz

典型Doherty单载波W-CDMA参考电路性能：V_DD = 48Vdc，I_DQA = 70mA，V_GSB = –5.0Vdc，平均输出功率 = 112W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
758MHz	19.7	61.2	8.9	-26.5
803MHz	19.3	60.0	9.1	-29.3
821MHz	18.8	59.8	9.0	-30.0

1. 所有数据均测自参考电路，器件焊接到散热器上。

购买/参数

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设计文件

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2 设计文件

印刷电路板与电路图
A5G07H800W19N 800 MHz PCB DXF file

ZIP版本 0Apr 12, 202337.7 KBA5G07H800W19N-800-PCB

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设计文件-其他
A5G07H800W19N 758-821 MHz Design Files

ZIP版本 0Nov 7, 20231.2 MBA5G07H800W19N-758-821-MHZ-DESIGN-FILES

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