728-960 MHz，1.6 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器

产品详情

特征

驱动器应用 - 900 MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 V，I_DQ1 = 52 mA，I_DQ2 = 134 mA，平均输出功率 = 1.6 W，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	功率附加效率 (%)	ACPR (dBc)
865 MHz	37.9	17.1	–50.4
880 MHz	38.0	17.4	–50.6
895 MHz	37.8	17.5	–51.3

在32 Vdc，880 MHz，23.5 W连续波输出功率(自额定输出功率3 dB输入过驱)时，能承受10:1 VSWR

在5:1 VSWR下保持稳定。在30至41.5 dBm连续波输出功率时，所有杂散低于–60 dBc。

1 dB压缩点时，典型连续波输出功率≃ 15.5 W

驱动器应用 - 700 MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 V，I_DQ1 = 50 mA，I_DQ2 = 144 mA，平均输出功率 = 1.6 W，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	功率附加效率 (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	37.8	17.2	–49.5
748 MHz	37.8	17.3	–50.5
768 MHz	37.7	17.3	–51.4

提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数

片上匹配(50 Ohm隔直输入)

集成静态电流温度补偿，具有启用/禁用功能

集成的ESD保护

符合RoHS规范

采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

部件编号包含： MW7IC915N.

RF Performance Tables

800 MHz

Typical Single-Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1 = 52 mA, I_DQ2 = 134 mA, Pout = 1.6 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
865 MHz	37.9	17.1	–50.4
880 MHz	38.0	17.4	–50.6
895 MHz	37.8	17.5	–51.3

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, Pout = 23.5 Watts CW (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below –60 dBc @ 30 to 41.5 dBm CW Pout.
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 15.5 Watts CW

700 MHz

Typical Single-Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1 = 50 mA, I_DQ2 = 144 mA, Pout = 1.6 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	37.8	17.2	–49.5
748 MHz	37.8	17.3	–50.5
768 MHz	37.7	17.3	–51.4

购买/参数

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文档

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1-5 / 6 文件

^数据手册
MW7IC915NT1 728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier - Data Sheet

PDF版本 2Dec 16, 2013625.4 KBMW7IC915NEnglish
^应用笔记
PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778

PDF版本 0Feb 26, 2010632.0 KBAN3778English
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF版本 1May 12, 2004140.7 KBAN1987English
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF版本 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977English
^封装信息
98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins

PDF版本 BMar 21, 201644.4 KBSOT1664-1English
^白皮书
Advances in Airfast RFICs White Paper

PDF版本 0May 15, 2015167.4 KBAIRFASTWBFWPEnglish

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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MW7IC915N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:001.2 MBMW7IC915N_MDL_ADS
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MW7IC915NT1 S-Parameters

S2P版本 0Sep 9, 2009 00:00:00120.0 KBMW7IC915N_SP
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MW7IC915NT1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jul 22, 2011 00:00:002.1 MBMW7IC915N_MDL_AWR
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^{印刷电路板与电路图}
MW7IC915NT1 CAD DXF File

ZIP版本 2cSep 16, 2010 00:00:0035.2 KBMW7IC915N_DXF_PCB
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^计算器
MW7IC915NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Mar 24, 2010 00:00:0035.3 KBMW7IC915N_MTTF_CALC
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PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins

Advances in Airfast RFICs White Paper

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