宽带硅锗低噪声放大器MMIC
产品详情
特征
- 低噪声高增益微波MMIC
- 在40 MHz和6 GHz之间适用
- 可实现简易设计的集成式温度稳定型偏置
- 可通过外部电阻配置的偏置电流
- 噪声系数NF = 0.80 dB（1.575 GHz时）
- 插入功率增益 = 18.3 dB（1.575 GHz时）
- 110 GHz转换频率 - SiGe:C技术
- 掉电模式下的电流损耗：小于1 μA
- 5 mA低电源电流时性能最佳
- 所有引脚均提供1 kV以上人体模型(HBM) ESD保护
目标应用
- GPS
- 卫星无线电
- 适合微波通信系统的低噪声放大器
- WLAN和CDMA应用
- 模拟和数字无绳应用
购买/参数
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文档
快速参考恩智浦 文档类别.