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这些开关是耗尽型场效应晶体管(FET)和频段开关二极管的组合。BF1118、BF1118R、BF1118W和BF1118WR分别采用SOT143B、SOT143R、SOT343N和SOT343R封装。这些器件因其低损耗和高隔离性能而能提供出色的射频开关功能。可通过该二极管使MOSFET的栅极与地面绝缘,从而实现低损耗。栅极和源极之间以及栅极和漏极之间的集成式二极管可防止过大的输入电压浪涌。
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