面向LTE/5G NR的带有旁路开关的SiGe:C低噪声放大器MMIC

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产品详情

  • 工作频率:3300 MHz至5000 MHz
  • 噪声系数:1.0 dB
  • 增益:15 dB
  • 高输入1 dB压缩点频率:-8 dBm
  • 高频段内IP3i:4 dBm
  • 旁路开关插入损耗:-3.2 dB
  • 电源电压范围:1.5 V至3.1 V
  • 集成射频电源去耦电容
  • 4.7 mA电源电流时性能卓越
  • 旁通模式电流消耗< 1 μA
  • 集成的温度稳定偏差支持轻松设计
  • 只需一个输入匹配电感器
  • 通过交流隔直电容耦合的输入和输出交流电
  • 输出的集成匹配 (LTE B42/43,5G NR n77/n78)
  • 所有引脚提供ESD保护
  • 低成本物料清单(BOM)
  • 6针无引脚封装尺寸:1.1 mm x 0.7 mm x 0.37 mm;0.4 mm间距
  • 180 GHz转接频率 - SiGe:C技术
  • 湿度灵敏度等级1

应用

  • 智能手机LTE和5G NR接收所用的LNA
  • 功能手机
  • 平板电脑
  • 射频前端模块

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

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