双低电阻单刀单掷模拟开关

  • 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。

查看产品图片

产品详情

框图

NX3L2G66GD, NX3L2G66GM, NX3L2G66GT, NX3L2T66GD, NX3L2T66GM, NX3L2T66GT, NX3L4684GM, NX3L4684TK

Features

Key Features

  • 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
  • 极低导通电阻(峰值):
    • VCC = 1.4 V时,1.6Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时,1.0Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时,0.55 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时,0.50 Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时,0.50 Ω(典型值)
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
    • IEC61000-4-2接触放电超过4000 V(适合开关端口)
  • CMOS低功耗
  • 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类A级标准
  • 3.0 V时具有TTL电平的直接接口
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 大电流处理能力(3.3 V电源下为350 mA连续电流)
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

部件编号包含: NX3L2G66GT.

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

1-5 / 8 文件

展开

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

1 设计文件

支持

您需要什么帮助?