500-5000 MHz，9 W，12 V功率FET GaAs pHEMT
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产品详情
特征
- 3550 MHz连续波时，9 W P1dB
- 卓越的相位线性和组时延特征
- 高效率和高线性
- 符合RoHS规范
- 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16 mm卷带宽度，13英寸卷盘。
射频性能表
LTE, W-CDMA
典型单载波W-CDMA性能：VDD = 12 Vdc，IDQ = 130 mA，3.84 MHz信道带宽，输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。| 频率 (MHz) | 输出功率 (W) | Gps (dB) | ACPR (dBc) | ηD (%) | IRL (dB) |
| 750 | 1 | 14.5 | –44.0 | 24.0 | –15 |
| 2140 | 1 | 13.0 | –43.0 | 25.0 | –14 |
| 2650 | 1 | 11.5 | –43.0 | 30.0 | –15 |