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3.5 GHz，3 W，6 V功率FET GaAs pHEMT
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产品详情
特征
- 典型单载波W-CDMA性能：VDD = 6 V，IDQ = 180 mA，平均输出功率 = 450 mW，3550 MHz，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。
- 功率增益：10 dB
- 漏极效率：27%
- 5 MHz偏移时的ACPR：在3.84 MHz信道带宽时为–42.5 dBc
- 3550 MHz连续波时，3 W P1dB
- 卓越的相位线性和组时延特征
- 高增益、高效率和高线性
- 符合RoHS规范
- 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，12 mm卷带宽度，7英寸卷盘。
购买/参数
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