1200-1400 MHz,1000 W峰值,50 V LDMOS射频功率晶体管

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特征

  • 内部预匹配的输入和输出,支持宽带运营和易用性
  • 器件可用于单端、推挽或正交配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 高耐用性,处理的VSWR > 20:1
  • 集成的ESD保护,带有增大负电压范围,改善C类放大器运行和栅电压脉冲
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 商用L波段雷达系统

RF Performance Tables

典型脉冲性能

在1200-1400 MHz参考电路中,VDD = 50 Vdc,IDQ(A+B) = 100 mA,输入功率 = 25 W
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
1200脉冲
(300 µsec,12%占空比)
950峰值15.846.5
13001120峰值16.5–47.5
14001000峰值16.146.6

负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试
电压
结果
1400(1)脉冲
(128 µsec,10%占空比)
> 20:1 (所有相角)31.6峰值
(3 dB过驱)
50无器件退化
1. 在1400 MHz窄带生产电路中测量。

文档

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