Javascript must be enabled to view full functionality of our site.
NXP
产品
应用
设计中心
技术支持
公司
在线购买
语言
English
中文
日本語
한국어
订单
中文
产品
处理器和微控制器
模拟和混合信号
音频和无线设备
接口
电源管理
射频
RFID/NFC
信息安全与身份验证
传感器
无线连接
产品查找工具
恩智浦产品信息
设计建议工具
已停产
MRF6V2150N
10-450 MHz，150 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS
MRF6V2150N
存档
接收通知
本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。
滚动图片以放大
TO-270WB-4, TO-272WB-4 Package Images
MRF6V2150NR1和MRF6V2150NBR1专为频率高达450MHz的连续波大信号输出和驱动应用而设计。这两款未匹配的器件适用于工业、医疗和科学应用。
数据手册
文档
快速参考恩智浦
文档类别
.
公开文件 (1)
筛选条件
完成
过滤方式
文件类型
清除全部
数据手册
清除全部
1 文件
数据手册
ARCHIVED - MRF6V2150NR1, MRF6V2150NBR1, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFETs
PDF
版本 4
Apr 28, 2010
1.5 MB
MRF6V2150N
English
安全文件正在加载，请稍等
支持
您需要什么帮助?
Narrow your search
搜索
推荐链接
在恩智浦网络社区提问
