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MRF6V2150N
10-450 MHz，150 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS
MRF6V2150N
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TO-270WB-4, TO-272WB-4 Package Images
MRF6V2150NR1和MRF6V2150NBR1专为频率高达450MHz的连续波大信号输出和驱动应用而设计。这两款未匹配的器件适用于工业、医疗和科学应用。
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ARCHIVED - MRF6V2150NR1, MRF6V2150NBR1, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFETs
PDF
版本 4
Apr 28, 2010
1.5 MB
MRF6V2150N
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