恩智浦非常高兴宣布推出A3G26D055N，这是我们首款面向中等功率分立式氮化镓(GaN)解决方案的前沿产品系列。Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管，采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出，可填充多个频段，在48 V下运行时，能效提升超过50%，增益超过13 dB。
A3G26D055N用途广泛，其应用范围为100-2800 MHz，适用于各种市场，包括移动通信基础设施、射频能源和宽带通信。
在恩智浦RF 5G移动通信基础设施大功率产品组合中，这款低于6 GHz的器件在2.6 GHz移动通信频段下运行，功率为39 dBm，平均功耗为8 W。它可用于5G mMIMO射频单元（64T64R），也可作为宏射频单元（如4T4R天线系统）的驱动器，用于不到1GHz的移动通信频段。
固态射频能量是一种可靠的热源和电源。A3G26D055N用途广泛，可作为射频能量驱动器在2.45 GHz ISM频段使用，适用于烹饪、工业加热和焊接应用。此外，它还可用作25W连续波的低功耗末级驱动器，适用于医疗和工业应用。
这款新型A3G26D055N还非常适合在恶劣条件下运行的宽带通信，如100-2800 MHz范围内的宽带战术通信、25W连续波宽带低功耗末级驱动器、航空航天和国防产品组合中MMRF5014H或MMRF5018H的驱动器。
A3G26D055NT4现可通过我们的独家样品计划进行订购和取样。欢迎访问恩智浦产品汇总页和数据表。
恩智浦提供多种参考电路，可加快产品上市时间。紧凑型设计覆盖诸多功率和频率，支持大量应用。
Megan是恩智浦半导体射频功率解决方案营销团队的战术营销人员。Megan Faust曾与恩智浦射频移动通信基础设施和多市场领域团队合作。恩智浦RP应用包括SiGe、LDMOS和GaN射频解决方案设计，适用于移动和通信基础设施以及消费电子、工业和航空航天/国防领域。恩智浦射频功率营销团队致力于使射频更易于使用，为客户提供支持，并应对新的细分市场中的问题。Megan负责射频器件和评估板的物流、运营和分销支持，同时支持恩智浦射频功率的创新和市场开发。Megan获得了亚利桑那州立大学(Arizona State University)的商业文学学士学位和应用商业数据分析认证。
