6 - 18 GHz宽带晶体管

在我们的射频晶体管产品组合中，包含多种宽带晶体管解决方案选项。这些新一代器件提供较高的射频噪声系数与增益性能，且电流损耗达较低。该性能实现了低功耗下更出色的信号接收，使射频接收器在嘈杂环境下运行更稳定。

特性：

  • 12 GHz时只消耗3 mA就可产生13.5 dB的增益
  • 1.8 GHz 时34 dBm (OIP3) 的高线性度
  • 12 GHz 时 13.5 dB 的高增益，1.45 dB 的低噪声系数
  • 塑料表面贴装SOT343F封装

目标应用：

  • Ka频段振荡器DRO
  • C 频段高输出缓冲放大器
  • ZigBee
  • 高线性度应用
  • Wi-Fi / WLAN / WiMAX
  • 中等输出功率应用
  • 配备低电流电池的应用
  • 微波通信系统的低噪声放大器
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QUBiC4文件

用于各种射频功能的QUBiC4 Si和SiGe:C晶体管

我们的宽带射频晶体管产品组合具有适用于高达20 GHz应用的多种封装，并为我们的客户提供经济可靠的选择。