带旁路开关评估板的BGS8L2 LTE LNA

滚动图片以放大

支持的器件

射频

LTE LNA

特性

主要特性

  • 噪声系数(NF)=0.9dB
  • 增益:13dB
  • 旁路开关插入损耗:1.9dB
  • 高输入1dB压缩点:-1dBm
  • 1.5dBm的高带外IP3i
  • 可实现简易设计的集成式温度稳定型偏置
  • 集成输出匹配
  • 180GHz转接频率——SiGe:C技术

电源管理

  • BGS8L2优化用于728MHz至960MHz频率。
  • 电源电压范围:1.5V至3.1V
  • 5.2mA极低电源电流时性能最佳
  • 关闭模式耗电电流<1µA
  • 对所有引脚提供ESD防护(HBM>2kV)
  • 解耦了输入和输出DC

尺寸

  • 1.1mmx0.7mmx0.37mm; 0.4mm间距:SOT1232

购买选项

OM17005-Image

点击展开

  • OM17005

  • BGS8L2 LTE LNA with bypass switch evaluation board.

  • CNY1,149.20
  • 数量为 1
从分销商处购买

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

1 设计文件

支持

您需要什么帮助?