BGS8H2 LTE LNA的演示板

OM17007 正常供应

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BGS8H2 LTE LNA评估板简化了对LTE应用的BGS8H2 LNA的评估。该评估板支持测试器件性能，无需其他的支持电路。它完全装配有BGS8H2输入串联电感和一个解耦电容。还配有两个SMA连接器，用于与射频测试设备的输入和输出连接。BGS8H2可依靠1.5V至3.1V的单电源工作，消耗电流大约为5.8mA。

支持的器件

射频

LTE LNA

  • BGS8H2: SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE

特性

BGS8H2适用于2300MHz至2690MHz频率。

  • 噪声系数(NF)=1.1dB
  • 增益：12.5dB
  • 旁路开关插入损耗：2.3dB
  • 高输入1dB压缩点：-1.5dBm
  • 高带外IP3i：4dBm
  • 电源电压范围：1.5V至3.1V
  • 5.8mA极低电源电流时性能最佳
  • 掉电模式耗电电流<1µA
  • 集成的温度稳定偏差支持轻松设计
  • 只需一个输入匹配电感器和一个电源解耦电容
  • 输入输出直流解耦
  • 对所有引脚提供ESD防护（HBM>2kV）
  • 集成输出匹配
  • 1.1mmx0.7mmx0.37mm；0.4mm间距：SOT1232
  • 180GHz转接频率——SiGe:C技术

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  • OM17007

  • Demoboard for BGS8H2 LTE LNA.

    • 防静电包装中的BGS8H2 LNA评估板
  • CNY1,149.20
  • 数量为 1

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